[发明专利]一种用于ESD防护电路的多指型GGNMOS器件及其制作方法有效
申请号: | 202011373857.X | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112289790B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 胡涛 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人: | 唐灵;赵杰香 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提出了一种用于ESD防护电路的多插指GGNMOS器件,包括衬底;形成于衬底上的器件区,所述器件区内包括多个NMOS器件,位于所述器件区一侧的体接线区,位于所述器件区外部的条形多晶硅电阻,每个所述NMOS器件的栅极接在该条形多晶硅电阻的不同位置上,距离所述体接线区越近的NMOS器件的栅极接地电阻越大。通过让各个寄生NPN管的栅极接入该条形多晶硅电阻的不同位置从而获得不同的电阻,利用ESD脉冲下的RC耦合抬起栅极电压,提供不同的沟道电流进行补偿辅助触发GGNMOS,当发生静电放电时,可以使GGNMOS中的每个插指同时开启。本发明还提出了上述器件的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 esd 防护 电路 多指型 ggnmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的