[发明专利]一种双面基板的电通断测试方法有效
| 申请号： | 202011376754.9 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112509937B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李宝霞 | 申请（专利权）人： | 珠海天成先进半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 张海平 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双面基板的电通断测试方法，包括步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层不进行刻蚀，保留正面电镀种子层；步骤2，在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点间电通断连接关系；步骤3：刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层，对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点间电通断连接关系；步骤4：结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。解决硅转接基板晶圆的电通断测试问题，适于自动化量产测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 电通断 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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