[发明专利]一种浅沟槽隔离的制备方法有效
| 申请号： | 202011377953.1 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112331611B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘丽媛;何理;乔夫龙;王一 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈秋忆;徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离的制备方法，具体包括：提供衬底，包括存储器件的存储单元区域和外围区域；采用第一刻蚀工艺对存储单元区域的衬底上部刻蚀以形成第一浅沟槽，采用第一沉积工艺在第一浅沟槽中填充氧化硅以形成第一浅沟槽隔离；以及采用第二刻蚀工艺对外围区域的衬底上部刻蚀以形成第二浅沟槽，采用第二沉积工艺在第二浅沟槽中填充氧化硅以形成第二浅沟槽隔离；其中第一浅沟槽的深度、特征尺寸均小于第二浅沟槽的深度、特征尺寸。根据本发明，通过对存储单元区域和外围区域采用不同的刻蚀和氧化硅沉积工艺，能够避免外围区域出现硅位错缺陷，能够保证存储单元区域的器件样貌和特征尺寸，从而提高存储器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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