[发明专利]晶体管阵列基板和包括其的电子装置在审
| 申请号： | 202011377958.4 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112992922A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 丁灿墉;李道炯;白朱爀 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;王鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种晶体管阵列基板和电子装置。第一有源层包括第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及设置在第一区域域第二区域之间的沟道区域。栅极绝缘膜设置在第一有源层上。栅电极设置在栅极绝缘膜上，以与第一有源层的沟道区域的一部分交叠。栅电极与第一有源层的第一区域和第二区域的至少一个区域的一部分交叠。防止了沟道区域的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 阵列 包括 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
