[发明专利]包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202011383655.3 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035886A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 洪礼媛 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种能够实现高分辨率和较小功耗的包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法，其中显示设备包括设置在显示区域中的底栅型薄膜晶体管和设置在非显示区域中的顶栅型薄膜晶体管。在根据本公开内容的显示设备中，在显示区域中设置占据较小尺寸区域的底栅型薄膜晶体管，使得可实现高分辨率，并且在非显示区域中设置能够实现较小功耗的顶栅型薄膜晶体管，使得可降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 不同类型 薄膜晶体管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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