[发明专利]一种生产NLDMOS器件的方法及NLDMOS器件在审
| 申请号： | 202011384122.7 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112510094A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宋利军;张子敏 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 朱鹏 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种生产NLDMOS器件的方法，还提供了通过该方法得到的NLDMOS器件。该方法包括首先在一提供一低阻P+型衬底，然后在所述低阻P+型衬底形成BN区域、两个STI区域及Nwell层，再在所述STI区域内侧分别刻蚀出PB区域，然后所述低阻P+型衬底上方生长栅氧并形成栅极，在所述PB区域生成源极区域，最后在所述PB区域之间刻蚀深孔区域，并将所述深孔区域进行填充后，金属淀积刻蚀形成漏极区域。本发明提供的方法生产得到的NLDMOS器件面积大大减小，使电流检测功能的器件可集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生产 nldmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
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