[发明专利]氧化钛包覆多孔中空硅球、其制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202011384311.4 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN112607741A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 白岩;关玉明;赵晓磊;游志江 申请(专利权)人: 北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;C01G23/053;H01M4/36;H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y40/00
代理公司: 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 代理人: 宋子良
地址: 056300 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种氧化钛包覆多孔中空硅球、其制备方法及其应用。上述制备方法包括以下步骤:S1,采用溶胶‑凝胶法制备含有模板剂的空心二氧化硅球;S2,将空心SiO2球进行镁热还原,得到含有模板剂的空心硅球;S3,在空心硅球的表面包覆TiO2‑x,其中x为0~0.6,得到TiO2‑x包覆的空心硅球;S4,煅烧TiO2‑x包覆的空心硅球,得到氧化钛包覆多孔中空硅球。通过本发明方法制备得到的氧化钛包覆多孔中空硅球很好地改善了空心硅球导电性差、循环过程中体积变化大的问题,具有良好的点循环性能,非常适合作为锂离子电池负极材料使用。
搜索关键词: 氧化 钛包覆 多孔 中空 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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