[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011384382.4 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114551453A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其中包括一叠层以及多个存储器串列。叠层形成于一衬底上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着一第一方向穿过叠层，各个存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、一通道层以及一存储器结构。第一导电柱及一第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此电性隔离。通道层沿着第一方向延伸，其中通道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间，且通道层耦接于第一导电柱与第二导电柱。存储器结构绕该第一导电柱、第二导电柱及通道层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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