[发明专利]基片的刻蚀方法和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202011394982.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112563134A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘海龙;朱瑞苹;郑浩田 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基片的刻蚀方法和薄膜晶体管，基片的刻蚀方法包括：在基片的金属银层上形成具有预定图案的掩膜层；向刻蚀腔内通入刻蚀气体，通过激发所述刻蚀气体为第一等离子体，刻蚀所述掩膜层和所述金属银层，以在所述金属银层上形成刻蚀沟槽，其中，所述第一等离子体包括甲基离子和氢离子中的至少一者。采用上述刻蚀方法可以解决目前采用氧离子对金属银进行刻蚀的过程中，产生的氧化银会粘附且堆积在刻蚀孔的内壁，导致刻蚀孔被堵塞，进而刻蚀失败率较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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