[发明专利]分栅沟槽MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202011396385.X | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112490292A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 谭在超;丁国华;罗寅 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 杜静静 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种分栅沟槽MOSFET栅源漏电改善的工艺方法，本发明分栅沟槽MOSFET的栅源多晶硅间隔离氧化层由硼磷硅玻璃BPSG构成。通过在栅极沟槽内填充BPSG材料，然后高温回流使硅片表面及沟槽侧壁BPSG向栅极沟槽底部流动，从而增加栅极沟槽底部BPSG氧化膜厚度，同时硅片表面及沟槽侧壁BPSG氧化膜厚度降低，最后湿法移除硅片表面及沟槽侧壁多余BPSG氧化膜。采用本发明所述方法制作的分栅沟槽MOSFET，在有效改善器件栅源漏电问题的同时，其多晶硅间氧化膜更易填充，降低了工艺难度，有利于实现更小的器件尺寸。同时可以节省氧化硅CMP工艺，降低器件生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州锴威特半导体股份有限公司，未经苏州锴威特半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011396385.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
