[发明专利]制造MOSFET的方法及其由其制造的中间结构

摘要

本公开涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括：提供包含半导体层、覆盖在沟道层上的第一高k介电材料层和覆盖在半导体层上的沟道层的基板，执行图案化处理，使得从用于形成源电极的第一区域和用于形成漏电极的第二区域中移除至少第一高k介电材料层，使得包括第一高k介电材料的图案化层的用于形成栅电极的第三区域被形成在第一区域和第二区域之间，在第一区域中形成源电极并在第二区域中形成漏电极，其中源电极和漏电极具有暴露的末端，并且包括易受自限氧化影响的材料，将源电极和漏电极置于氧化介质中，从而将源电极和漏电极的暴露末端转化为氧化物的共形层，并且仅在第三区域中的第一高k介电材料的图案化层上提供栅极。