[发明专利]一种SE结构图案及其制作方法在审
申请号: | 202011404688.1 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN112531041A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 张逸凡;何悦;金杭;朱太英;李文龙;方超炎 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及单晶电池技术领域,公开了一种SE结构图案及其制作方法,其中SE结构图案包括:Mark点图组,Mark点图组设置于电池片的成形表面上,Mark点图组为十字型图组,Mark点图组包括相互交叉的横线和纵线,横线沿成形表面的横向设置,纵线沿成形表面的纵向设置;副栅激光线图组,副栅激光线图组设置于成形表面上,副栅激光线图组包括上部分、中间部分和下部分,上部分、中间部分和下部分均包括若干条第一刻线,第一刻线沿成形表面的横向分布;主栅激光线图组,主栅激光线图组设置于成形表面上,主栅激光线图组包括若干组第二刻线,每组第二刻线沿成形表面的纵向分布。通过上述结构,该SE结构图案能够提高电池片的电子发光检测合格率和电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 se 结构 图案 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的