[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011409949.9 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113161316A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 丸山一哉;佐野努;西城淳一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备第1电极、第2电极、以及在所述第1电极与所述第2电极之间延伸的导线。所述导线包含：第1导电体，与所述第1电极及所述第2电极相接；以及第2导电体，以不与所述第1电极及所述第2电极相接的方式设置在所述第1导电体内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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