[发明专利]一种CIS产品的微透镜形成方法有效
申请号: | 202011414131.6 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112635502B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 孙少俊;王函 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种CIS产品的微透镜形成方法,涉及半导体制造领域。该方法包括提供一制作CIS产品的衬底,所述衬底上形成有金属层间介质层,所述金属层间介质层中设置有金属连线;在所述金属层间介质层的上方形成第一层微透镜材料层;通过光刻工艺在所述第一层微透镜材料层上方定义微透镜图案;根据所述微透镜图案刻蚀所述第一层微透镜材料层,形成微透镜前置结构;沉积第二层微透镜材料层,形成微透镜,所述微透镜位于所述CIS产品的像素区上方,微透镜材料为含碳氧化硅;解决了目前利用二氧化硅制作的微透镜的透光性一般的问题;达到了提高CIS微透镜的透光性,提升CIS产品性能的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 cis 产品 透镜 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的