[发明专利]一种宽层间距二硫化钼纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011414228.7 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112960696B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 方奕文;祝忠泰;吕孟海;许业伟;冯燕萍;丁客鑫;李伟可;温颖琦 | 申请（专利权）人： | 汕头大学;广州市威来材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B82Y40/00 | 分类号： | B82Y40/00;C01G39/06 |
| 代理公司： | 汕头兴邦华腾专利代理事务所(特殊普通合伙) 44547 | 代理人： | 张树峰;梁凤德 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种宽层间距二硫化钼纳米片及其制备方法，本发明制备的二硫化钼纳米片的层间距为0.95nm，厚度为5～10nm，堆叠层数为5～11层，与常规二硫化钼纳米片相比，宽层间距二硫化钼纳米片具有更大的层间距、更多暴露的活性位点、更低的抗剪切系数及其超薄属性，在固体润滑、吸附、催化及电池等领域具有更优异的性能及较好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间距 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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