[发明专利]一种化学气相沉积方法在审
| 申请号： | 202011414503.5 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN114613673A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 卞成洙;高建峰;刘卫兵;白国斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学气相沉积方法，涉及半导体技术领域，可解决不同处理室的等离子体效应对硬掩模层的影响不同的问题。一种基板的制造方法，包括：将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层；向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体；打开所述处理室的电源，形成预等离子体；向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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