[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202011414820.7 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114613725A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 中村胜;山冈久之 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，能够解决在晶片内部沿着分割预定线形成改质层，磨削背面侧而分割成一个个器件芯片时，微细的大致三角形碎片从晶片的外周区域飞散而损伤器件芯片的问题。晶片的加工方法包含：改质层形成工序，将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部进行照射以形成改质层；以及背面磨削工序，将晶片保持于磨削装置的卡盘工作台，对晶片背面进行磨削而使其薄化，并且借助从形成于分割预定线的内部的改质层朝向形成于晶片正面的分割预定线产生的裂纹，将晶片分割成一个个器件芯片。在该改质层形成工序中，若会形成表面积比该器件芯片小的三角形碎片，则在会划分出该三角形碎片的区域中停止照射激光光线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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