[发明专利]一种氮化镓单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 202011417405.7 申请日: 2020-12-05
公开(公告)号: CN112609242B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 马君健;黄金荣;周德金;徐宏;钟磊;韩婷婷;刘宗伟 申请(专利权)人: 无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B11/00
代理公司: 北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙) 11876 代理人: 李明卓
地址: 214100 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氮化镓单晶生长装置,具体涉及单晶生长设备技术领域,包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖,底座的顶端固定连接有壳体,所述壳体内部的顶端固定连接有筒体,且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构,所述壳体顶端的一侧设置有排气结构,所述加热台的顶端固定连接有坩埚,且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构,以升降结构将网框抬升至筒体的内部后,轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部,而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存,其冷却效率亦得到一定程度的提升。
搜索关键词: 一种 氮化 镓单晶 生长 装置
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