[发明专利]一种多芯片并联封装模块内芯片峰值结温的无损测试方法在审
| 申请号： | 202011419747.2 | 申请日： | 2020-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112698173A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郭春生;魏磊;张仕炜;赵迪 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法，该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇，实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库，根据测试电流与并联器件数量，利用电流转换公式，得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇；利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降，得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线；最后，根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点，确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法，可在成熟小电流压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 封装 模块 峰值 无损 测试 方法 | ||
【主权项】：
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