[发明专利]一种晶圆失效的分析方法及系统有效
| 申请号： | 202011419830.X | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112397410B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 祖文秀;徐东东 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆失效的分析方法及系统，所述晶圆失效的分析方法包括：分析芯片良率数据，获取所述晶圆的失效区域；分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；实现所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据坐标的统一；在坐标统一的情况下获得选定区域中每个失效区块的权重；根据所述权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值；将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析，获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。通过本发明提供的一种晶圆失效的分析方法及系统，可提高分析结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
