[发明专利]高温电路器件的加工方法有效

专利信息
申请号: 202011425391.3 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112236025B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 刘胜;苏婳 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20;H05K5/00;H05K5/02;F02K9/96;G01K7/02;C23C16/06;C23C16/30;C23C16/56
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 罗敏清
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种高温电路器件的加工方法,包括:获得实心体;在实心体上沉积第一层壳体;熔去实心体;在第一层壳体表面沉积夹层;在夹层表面沉积第二层壳体;在第二层壳体外壁上分布有测试点,在每个测试点处加工有从第二层壳体向第一层壳体方向延伸但不贯穿第一层壳体的第一孔;在第一孔中填充绝缘层,在绝缘层设置多个第二孔并在每个第二孔中填充导电层;在第一层壳体内壁上加工有第一凹槽,并在其中设置布线层,布线层一端与第二孔中的导电层电连接;熔去夹层;加工成型传感器并将传感器置于第一凹槽中,设置好的传感器与对应的第一凹槽中的布线层另一端电连接。本发明可制备出加工面光洁、尺寸精确、电连接稳定性强、侧壁薄的高温电路器件。
搜索关键词: 高温 电路 器件 加工 方法
【主权项】:
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