[发明专利]一种CLBO晶体抛光工艺在审

专利信息
申请号: 202011429048.6 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112454019A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 袁英杰;陈晓洁;叶青;李雄;陈伟;张星;陈秋华 申请(专利权)人: 福建福晶科技股份有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B41/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350003 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种CLBO(CsLiB6O10硼酸铯锂)晶体的无水抛光工艺。该抛光工艺包括拉亮、粗抛和精抛三个工序,各工序使用的抛光辅料均不含水;拉亮工序采用蓖麻油及W1.0钻石粉混合液在聚氨酯盘拉亮去除砂眼并控制平行度;粗抛工序采用蓖麻油在沥青盘上抛光控制平面度、平行度、光洁度等指标;精抛工序采用无水试剂OPW在黑色绒布盘上抛光进一步优化光洁度。该工艺在保证产品平面度、光洁度等指标满足要求的前提下,解决了CLBO晶体传统含水抛光易吸潮开裂的技术难题。
搜索关键词: 一种 clbo 晶体 抛光 工艺
【主权项】:
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