[发明专利]半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011443536.2 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN113391522A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 滨崎正和 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够适当地调整曝光条件的校正参数的半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造系统具有存储部、特定部、判断部及调整部。存储部存储装置信息。装置信息是表示用于制造半导体器件的曝光装置的成像性与机械动作精度的关系的信息。特定部根据装置信息与所要求的成像性，特定出机械动作精度的限制。判断部判断曝光条件的校正参数是否满足限制。调整部根据判断部的判断结果，调整校正参数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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