[发明专利]集成式组合件以及形成集成式组合件的方法

摘要

本申请案涉及集成式组合件以及形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。交替的第一和第二材料的堆叠形成于导电结构之上。所述导电结构包含含金属材料之上的含半导体材料。开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述含半导体材料，以使所述含金属材料暴露。所述含半导体材料掺杂有碳和/或掺杂有一或多种金属。在所述含半导体材料的所述掺杂之后，移除所述堆叠的所述第二材料以形成空隙。导电材料形成于所述空隙内。绝缘材料形成于所述开口内。一些实施例包含具有分布在半导体材料的至少一部分内的碳的集成式组合件。