[发明专利]一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路在审
| 申请号： | 202011457753.7 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112563262A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 梁海莲;马琴玲;顾晓峰 | 申请（专利权）人： | 钳芯半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域,公开了一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，该电路的结构中心对称设置，在实际使用时本发明在PS、PD、NS、ND、DS、SD六种工作模式中的电流泄放路径双向完全相同且均有稳压二极管辅助SCR触发特征，另外在I/O、VSS与VDD任意两端口之间均有对称正反向EOS/ESD保护特性，可减小芯片设计面积和寄生电容，降低导通电阻，增强EOS/ESD鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 稳压 静电 浪涌 芯片 保护 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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