[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011459879.8 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112582366A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 霍炎;涂旭峰 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 武娜 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体封装结构及其制备方法。本申请中，该半导体封装结构，包括待封装裸片、第一绝缘层、布线层、限位结构与锡球，待封装裸片包括相对的正面与背面；待封装裸片的正面设置有焊垫；第一绝缘层位于待封装裸片的正面，第一绝缘层包括第一开口以暴露焊垫；布线层位于第一绝缘层远离待封装裸片的一侧，布线层通过第一开口与焊垫电连接；限位结构位于布线层远离待封装裸片的一侧，限位结构包括容纳空间；锡球位于限位结构的容纳空间中，并与布线层电连接。本申请实施例提供的技术方案，可以防止植球时锡球的位置偏移，提高半导体封装结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子（重庆）有限公司，未经矽磐微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011459879.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种音频信号处理方法及装置
- 下一篇：一种四维超声设备的便携式结构
