[发明专利]发光二极管及制作方法有效
申请号: | 202011460321.1 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112582515B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 李庆;韦冬;于波;顾杨 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管及制作方法,所述制作方法包括:S1、提供衬底;S2、在所述衬底上制备发光二极管,所述发光二极管包括依序叠置在所述衬底上的外延结构、欧姆接触层和连接电极;S3、形成绝缘层于所述连接电极远离所述衬底一侧的表面上,蚀刻绝缘层形成第一开口,所述连接电极自所述第一开口中暴露出;S4、形成有机胶层于所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面上,所述有机胶层部分接触所述衬底的表面;S5、形成吸光层于所述有机胶层远离所述衬底一侧的表面上;以及S6、照射激光至所述衬底上,以使所述有机胶层与所述衬底分离,使得所述发光二极管从所述衬底上剥离。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
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