[发明专利]一种IPD吸收式带通滤波器在审

专利信息
申请号: 202011461727.1 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112421195A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 代传相;李小珍;邢孟江;张志刚;侯明;刘永红 申请(专利权)人: 云南雷迅科技有限公司
主分类号: H01P1/212 分类号: H01P1/212;H01P1/203;H01P11/00
代理公司: 北京市盈科律师事务所 11344 代理人: 罗东
地址: 650000 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种IPD吸收式带通滤波器,属于滤波器技术领域。包括基体层和基体层下表面的背金层,基体层上生长有第一氮化硅层,第一氮化硅层上溅射有薄膜电阻层,第一氮化硅层上形成有第一金属层,第一金属层上生长有第二氮化硅层,第二氯化硅层上生长有聚酰亚胺层,聚酰亚胺层上形成有第二金属层,第二金属层上生长有第三氮化硅层,第一金属层和第二金属层上形成滤波器电路结构,滤波器电路结构包括串联在输入端口和输出端口之间的第一带通信号处理单元、第二式带通信号处理单元和LC并联谐振电路,本发明采用IPD‑GaAs工艺,通过光刻、溅射、电镀、刻蚀等工序,在GaAs基体上制作吸收式滤波器电路结构,具有高阻带抑制的效果。
搜索关键词: 一种 ipd 吸收 带通滤波器
【主权项】:
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