[发明专利]执行晶片边缘修整工艺的方法在审
| 申请号： | 202011472741.1 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113001314A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴铭栋;周东和;匡训冲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B49/12;B24B41/06;H01L21/68;H01L21/268;H01L21/304 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种执行晶片边缘修整工艺的方法，所述方法包含使用耦合到隐形激光设备的红外相机在晶片上方对准隐形激光设备。使用隐形激光设备在晶片内形成隐形损坏区，所述隐形损坏区在晶片周围连续连接且将晶片的内部区与外部区分离。隐形损坏区也布置在距晶片的边缘的第一距离处且从晶片的顶部表面下方的第一深度延伸到第二深度。另外，所述方法包含在晶片中形成凹槽以将晶片的外部区与内部区分离。使用刀片移除晶片的外部区，且使用研磨设备移除晶片的内部区的顶部部分。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 晶片 边缘 修整 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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