[发明专利]一种单向负阻浪涌防护芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202011476918.5 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112614782A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;裘立强;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。本发明涉及芯片加工领域，尤其涉及一种单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。提供了一种在无需晶片片厚极限减薄的情况下，使产品具有负阻特性及低的正向接触电压的单向负阻浪涌防护芯片的制造方法。本发明在工作中，包含P型衬底原硅片；通过在P型硅衬底的两侧进行淡磷掺杂形成N‑扩散区；在上侧N‑区进行浓硼掺杂形成P+区，在下侧N‑区掺杂浓磷，形成N++区，同时下层N‑区改变为N+区，从而制得单向负阻浪涌防护芯片。本发明避免了封装过程中晶片过薄而造成的应力，提升产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 浪涌 防护 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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