[发明专利]一种功率半导体模块防静电的电极保护结构在审
| 申请号： | 202011477029.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112582351A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/48;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，包括用于容纳功率半导体模块的外壳，所述外壳上设置有用于将栅极端子包围在内部的保护壳体，保护壳体在与栅极端子的端部对应的位置设置有开口。本发明通过设置上述的保护壳体，对栅极端子起到保护的作用，彻底的解决了带有静电的人或物触碰到栅极端子的风险，避免静电击穿现象的出现，并且本发明中的保护壳体简单，结构通用型非常强，可以适用于不同外形的功率半导体模块封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 静电 电极 保护 结构 | ||
【主权项】：
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