[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011479016.7 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112466956B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 程亚杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有体区和漂移区，体区环绕形成于漂移区的外围；场氧层，形成于漂移区中，且场氧层在衬底中分隔出两个第一有源区和一第二有源区，第二有源区位于两个第一有源区之间；以及，环形栅极层，形成于衬底上且环绕第二有源区，所述环形栅极层跨接覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分。本发明的技术方案可以利用单一的工艺，透过光掩膜图案的改变，不增加额外的步骤，兼容性较高，使得能够在不增加体区到漏极区之间的距离的同时，还能提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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