[发明专利]半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法在审
申请号: | 202011479293.8 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN114639584A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 段蛟;孙祥;陈星建 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张妍 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法,其中,半导体零部件包括:零部件本体;复合涂层,位于所述零部件本体的表面,包括交叠堆放的第一耐腐蚀涂层和第二耐腐蚀涂层,所述第一耐腐蚀涂层的晶粒尺寸大于第二耐腐蚀涂层的晶粒尺寸,所述第二耐腐蚀涂层用于抑制所述第一耐腐蚀涂层的晶粒生长尺寸。所述复合涂层的最外层和与零部件本体接触的均为第一耐腐蚀涂层,所述半导体零部件能够抵御等离子体的腐蚀,还能够降低颗粒污染。 | ||
搜索关键词: | 半导体 零部件 等离子体 处理 装置 形成 复合 涂层 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011479293.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。