[发明专利]管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202011479558.4 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN113721834A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 索加塔·达斯普卡雅斯塔 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02;G06F12/1009
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文的实施例公开了一种管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置。所述方法包括:由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰。所述方法还包括:由所述NAND控制器针对每个开放块,将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器(DRAM)中,用于对所述字线进行编程,以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中,用于对所述超级页面进行编程。所述方法可以用于管理用于NAND页面加扰的种子值,这可以降低保持影响。结果,可以减少用于NAND单元的保持回收,这可以提高耐久性。
搜索关键词: 管理 nand 存储器 数据 种子 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
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