[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202011483941.7 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113013133A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 矢田贵弘;高岩司 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L23/528;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体结构或装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子；电子组件，所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上；封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；屏蔽件，所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上；以及屏蔽互连件，所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子。本文中还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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