[发明专利]一种MOCVD机台复机方法有效

专利信息
申请号: 202011486132.1 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112647061B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 马野 申请(专利权)人: 福建兆元光电有限公司
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/44
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;徐剑兵
地址: 350108 福建省福州市闽侯县南屿镇生*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种MOCVD机台复机方法,包括如下步骤,在MOCVD机台维护后,启动MOCVD机台,进行Mg涂布:P层3600‑4000sccm;并在随后的量产过程中,对前若干炉的配方进行如下修改:欧姆接触层Mg通量增加30%‑40%;TEGa通量增加20%‑30%;Mg/Ga比提升6%‑10%。上述技术方案中,可以解决MOCVD机台在维护后前3‑5炉性能不稳定的问题,并在量产过程约提高机台5%的效益(产能指标),且优化了复机时间提高了2%的稼动率,保守估计共约提高7%的外延片效益,对于Mg敏感度高的产品,提高的效益会更多。
搜索关键词: 一种 mocvd 机台 复机 方法
【主权项】:
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