[发明专利]一种MOCVD机台复机方法有效
申请号: | 202011486132.1 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112647061B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 马野 | 申请(专利权)人: | 福建兆元光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/44 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 350108 福建省福州市闽侯县南屿镇生*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种MOCVD机台复机方法,包括如下步骤,在MOCVD机台维护后,启动MOCVD机台,进行Mg涂布:P层3600‑4000sccm;并在随后的量产过程中,对前若干炉的配方进行如下修改:欧姆接触层Mg通量增加30%‑40%;TEGa通量增加20%‑30%;Mg/Ga比提升6%‑10%。上述技术方案中,可以解决MOCVD机台在维护后前3‑5炉性能不稳定的问题,并在量产过程约提高机台5%的效益(产能指标),且优化了复机时间提高了2%的稼动率,保守估计共约提高7%的外延片效益,对于Mg敏感度高的产品,提高的效益会更多。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 机台 复机 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的