[发明专利]一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法有效
| 申请号： | 202011489342.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112829151B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 冯伟;杨绪轩;刘芝莹;屈栎杭 | 申请（专利权）人： | 东北林业大学 |
| 主分类号： | B29C41/04 | 分类号： | B29C41/04;B29C41/34;B29C41/52;C25B1/01;C25B1/50;B29L7/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 裴闪闪 |
| 地址： | 150040 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 电化学 制备 inse 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北林业大学，未经东北林业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011489342.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
