[发明专利]电阻单元及采用该电阻单元的高精度电阻和采样电路在审

专利信息
申请号: 202011490865.2 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112614824A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 王钊 申请(专利权)人: 合肥中感微电子有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/08
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 230000 安徽省合肥市新站区珍*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种电阻单元及采用该电阻单元的高精度电阻和采样电路,所述电阻单元包括:衬底;阱区,其位于所述衬底正面,且所述阱区的导电类型与所述衬底的导电类型相反;绝缘层,其位于所述阱区的上方;多晶硅电阻,其位于所述绝缘层上方且与所述阱区相对。与现有技术相比,本发明在多晶硅电阻的下方形成阱区,且多晶硅电阻与阱区电连接,以减小由于多晶硅电阻的电压与其下方区域电压之差影响其电阻值的效应,从而在实际应用中提高电阻精度。
搜索关键词: 电阻 单元 采用 高精度 采样 电路
【主权项】:
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