[发明专利]芯片过电流及过温保护方法有效
| 申请号： | 202011498871.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114447875B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊欣 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/02 | 分类号： | H02H3/02;H02H3/087;H02H3/093;H02H5/04;H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;周晓飞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片过电流及过温保护方法，由控制模块控制芯片的电流供应，保护方法包含藉由电流检测模块检测芯片的通过电流，藉由温度感测模块感测芯片的操作温度。当通过电流达到电流门槛值时，控制模块维持通过电流于电流门槛值。当维持电流门槛值持续达到电流维持时间，控制模块停止芯片的电流供应。当操作温度恢复至重启门槛值时，控制模块持续停止电流供应关闭延迟时间后，重新启动芯片的电流供应。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电流 保护 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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