[发明专利]一种吸气剂图形化的掩膜方式在审
| 申请号： | 202011498950.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112614779A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 于莎莎 | 申请（专利权）人： | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 刘静宇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应，利用掩膜片表面凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式，操作简单，利用掩膜片表面的凹槽，配合铝制压块以及强力磁铁，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且还能使掩膜片与硅片更加贴合，防止镀制的吸气剂衍出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸气 图形 方式 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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