[发明专利]一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法，包括衬底、电池功能层、减反射层、欧姆接触层以及正面电极，衬底、电池功能层、减反射层依次叠层设置，减反射层上设置有裸露口，衬底的背部设置有背面电极，欧姆接触层设置在电池功能层上并且位于裸露口处，正面电极与欧姆接触层连接并且裸露于减反射层外，减反射层不会覆盖在正面电极上，正面电极能够正常地对光线反射，使得正面电极的温度相对降低，正面电极能够更好地与外界部件焊接，提高电池转化效率。