[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011508990.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113113489A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 周益贤;黄振咸 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有内凹式存取装置的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一栅极电极以及多个杂质区。该基底具有一埋入层。该栅极电极设置在该基底中，并穿经该埋入层。该多个杂质区设置在该基底中，并在该栅极电极的任一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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