[发明专利]一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件

摘要

本发明提出一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件，包含多个传统碳化硅MOSFET元胞，以及多个增强可靠性元胞，其结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；第一源极区域，包含第一P型体区，第二P型体区和第二N型碳化硅区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方；第一隔离栅极区域，位于第一源极区域上方。元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，且增强可靠性元胞内的第一P型体区连为一体。这种结构减小了JFET区域的面积，提高了器件栅氧的可靠性；增加了第一P型体区面积，提高了器件的雪崩耐量；通过连为一体的第一P型体区设计，使得各个元胞第一P型体区的电位相等，有效提升了器件的短路能力。