[发明专利]芯片的转移方法有效

专利信息
申请号: 202011514635.5 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112968119B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 王涛;张雪梅;耿锋 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L21/683
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓玲
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种芯片的转移方法。该转移方法包括以下步骤:提供第一衬底,其第一侧包括具有芯片的功能区域和非功能区域,在非功能区域形成第一金属层,并在功能区域上形成覆盖芯片的第一绝缘介质层;提供第二衬底,第二衬底的第一侧具有与非功能区域对应的第一键合区域以及与功能区域对应的第二键合区域,在第一键合区域上形成第二金属层,并在第二键合区域上形成第二绝缘介质层;将第一金属层与第二金属层键合形成第一键合结构,并将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层键合形成第二键合结构;将第一衬底从第二衬底的第一侧剥离,并去除第一键合结构,以使芯片转移至第二衬底。通过将金属键合和绝缘介质材料键合相结合,提高了键合后的芯片良率。
搜索关键词: 芯片 转移 方法
【主权项】:
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