[发明专利]集成电路封装的模制材料层内的高导热性、高模量结构在审
| 申请号： | 202011515891.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113327921A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 白奕群;V·梅塔;J·德克;林子寅 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁辰;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以形成一种集成电路组装件，包括：电子衬底；被电附连到所述电子衬底的至少一个集成电路装置；模制材料层，所述模制材料层邻接电子衬底并大体上围绕所述至少一个集成电路；以及在所述模制材料层内的至少一个结构，其中所述至少一个结构包括具有大于约20吉帕斯卡的模量和大于约10瓦每米‑开尔文的导热性的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 制材 料层内 导热性 高模量 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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