[发明专利]用于改进功率输送的具有专用金属层的EMIB架构在审
| 申请号： | 202011516250.2 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113363248A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 谢建勇;S·沙兰;H-T·陈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁辰;李啸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的实施例包括具有桥的电子封装，所述桥包括改进的功率输送架构。在实施例中，桥包括衬底和在衬底之上的布线堆叠。在实施例中，布线堆叠包括第一布线层和第二布线层，其中第一布线层中的各个第一布线层具有第一厚度，并且其中第二布线层具有大于第一厚度的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 功率 输送 具有 专用 金属 emib 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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