[发明专利]高可靠性NMOS阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011517465.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112635546B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 邓晓军 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高可靠性NMOS阵列结构及其制备方法，P型衬底上方设有P阱区，P阱区上部间隔设有多个P+注入扩散区，相邻两个P+注入扩散区之间设有多个N+注入扩散区；所述P+注入扩散区的下方设有PB层或ZP层。本发明能够有效提升NMOS功耗耐受力，提高工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 nmos 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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