[发明专利]一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法在审
申请号: | 202011517587.5 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112612178A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 常欢;陆捷 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法,设有图形区域和遮光带的光罩;遮光带环绕于图形区域的四周;设置于遮光带内外边缘的标记;光刻机上的遮光片,遮光片将图形区域束缚其中用于控制光罩透光开口的大小;遮光带外边缘与图形区域的距离为光刻机台的精度规格L;精度规则L的范围为:M≤L≤N;位于遮光带的内边缘的标记与图形区域之间的距离为M/2;位于遮光带的所述外边缘的所述标记与图形区域之间的距离为N+100μm。本发明通过在遮光带上增加套刻精度标记,可以在线时时监控,节省了人力和机时;有效地防止了遮光片开口过大或者过小导致的产品漏光或者过遮光情况;通过系统量测抓取,实现了自动化处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 监控 光刻 遮光 开口 精度 标记 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011517587.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:折叠式气膜方舱
- 下一篇:一种不规则工件夹紧装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备