[发明专利]晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池

摘要

本发明公开一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池，处理方法为：先对硅片一面镀多层膜，每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，对硅片进行氢钝化；再对硅片另一面镀多层膜，每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理，等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以硅片进行氢钝化。本发明提供的多层膜沉积工序中，加入等离子体处理，氨气氛围的等离子体含有大量氢，对硅片表面起到很好的钝化效果，提高硅片少子寿命，从而提升电池光电转化效率。