[发明专利]沟槽型半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011519449.0 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114649410A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨涛涛;邱凯兵 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底(101)、外延层(102)、阱区层(103)、势阱层(104)、势垒层(105)、绝缘栅介质层(106)、栅电极层(108)、层间介质ILD层(109)、源极层(110)和漏极层(111)。其中，所诉势阱层(104)和势垒层(105)的极化效应在交界面形成2DEG或2DHG。该沟槽型半导体器件利用异质结形成的2DEG或2DHG作为沟道载流子。势阱层和势垒层之间的界面平行于栅电极层指向漏极层的方向，使得沟槽结构尺寸更小，加上2DEG或2DHG高载流子迁移率的特点，从而提高了元胞功率密度，进一步降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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